FMC-FeFET-Speicherlösungen für nicht

FMC ist der Anbieter von extrem effizienten FeFET-Speicherlösungen für nichtflüchtige Speicher. FeFET ist extrem stromsparend, leistungsstark, sehr dicht und extrem temperaturstabil. Er lässt sich auf Transistorgrößen von 28nm bis 5nm und darunter skalieren. Das FMC-Team wurde durch "EXIST Forschungstransfer", ein Programm des Bundesministeriums für Wirtschaft und Energie, unterstützt. FMC vermarktet eine bahnbrechende Materialinnovation, die dieses Problem für aktuelle und zukünftige Technologieknoten lösen wird, nämlich eNVM auf der Basis von ferroelektrischem Hafniumoxid (FE-HfO2). Der unerwartete physikalische Effekt der Ferroelektrizität in HfO2 ermöglicht die Umwandlung klassischer High-K-Metal-Gate-Transistoren (HKMG) in nichtflüchtige ferroelektrische Feldeffekttransistoren (FeFET). Auf diese Weise können MCUs leicht von z. B. 65 nm auf 28 nm und darüber hinaus skaliert werden, was enorme Vorteile für das Gesamtsystem bietet: SoC-Kostenreduzierung um ca. 80 %, Reduzierung der Schreibenergie pro Bit um den Faktor 1000 und ein Gesamtleistungsgewinn des Systems von ca. 70 % aufgrund des Übergangs zu fortgeschrittenen Prozessknoten. Aufgrund der engen Beziehung zwischen FeFET- und CMOS-Basistechnologie steht der Anwendung der FMC-Technologie auf Spitzentechnologieknoten wie 22 nm FDSOI, 1X nm FinFET und darüber hinaus nichts im Wege.